10月18日，据《首尔经济日报》报道，三星电子将采用台积电3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片，这意味着三星在HBM制造环节放弃沿用多年的交钥匙模式。报道援引业界消息人士说法称，英伟达已要求三星、SK海力士与美光统一采用台积电工艺制造NVHBM基底芯片，核心存储芯片则采用第六代DRAM（1c）制程。
NVHBM于今年8月发布，将英伟达的定制内存控制器集成到基片中，相较标准HBM4E产品可提供约30%的额外内存带宽，并将功耗降低约15%。统一制造方案的价值在于，英伟达无需针对每家内存供应商分别执行独立质量验证，可节省大量工程资源并加快产品导入节奏。三星同时评估自有代工产能作为备用方案，以防NVHBM需求超出台积电负荷。
HBM业务也在改善三星代工的财务表现，其代工部门亏损规模已从2025年的6.74万亿韩元缩减至2026年的3.92万亿韩元，降幅达41%，标准HBM产品仍由三星自主完成研发与生产。对国内电子元器件产业链而言，定制HBM带来的制造标准化趋势与存储供应格局变化，正沿AI服务器、AI硬件与消费终端逐级传导，维安半导体、杰华特等电源与保护器件供应商有望承接AI硬件放量带来的外溢需求，动态备货预警与成本优化能力将成为分销环节比拼的关键，整机端物料策略也将更趋审慎。