博盛 POTENS
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SiC / GaN 第三代半导体

2024-11-04

博盛布局第三代半导体制程，提供 SiC MOSFET、SiC SBD 及 GaN 功率器件，具备高耐压、高开关频率与低开关损耗优势。产品面向新能源汽车、服务器电源与 5G 通信等高频高效功率变换场景，是下一代电源系统的核心器件。
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