高容量系列容值覆盖 1µF 至 220µF,含 1206、1210 等大尺寸规格,采用超细陶瓷粉体与薄介质工艺,介质单层厚度可薄至 1µm、叠层超千层。面向 AI 服务器、数据中心电源及各类终端设备的滤波、去耦与储能电路。
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