三星电机MLCC订单交付周期本月延长至52周，客户下单需等待约一年提货，低容、高容与车规规格同步排队。AI服务器单机用量为通用服务器十倍以上，原厂高容产品涨幅普遍在15%至35%，村田九个系列部分规格已发EOL通知。

三星电子将采用台积电3纳米制程为英伟达NVHBM定制HBM芯片生产基底裸片，SK海力士与美光同步纳入统一制造方案，三星代工亏损收窄41%。

2026湾区半导体产业生态博览会10月14日在深圳会展中心开幕，展览面积8万平方米，千余家企业参展、同比增长66%，40余场论坛与43家核心晶圆厂对接举行，参展企业集中发布新品超3000件，方正微电子SiC功率模块、新凯来工艺设备与华海清科离子注入机亮相，反映AI基础设施、汽车电子与工业电源对电子元器件的需求升温。

阿斯麦将对销往韩国的全部光刻设备替换零部件上调10%价格，覆盖EUV与DUV设备，2027年1月起交付执行，三星电子与SK海力士经磋商接受。装机服务与零部件业务去年收入81.93亿欧元，应用材料、东京电子等厂商相继调价，AI扩产推动设备供给紧缺，元器件采购端成本压力上移，供应链议价权正向设备供应商转移。

三星电子10月8日公布三季度初步业绩，营业利润约107.4万亿韩元、同比增长782.5%，存储业务贡献约109万亿韩元，DRAM均价环比上涨20.1%。TrendForce预计四季度一般型DRAM合约价环比上涨10%至15%、NAND上涨15%至20%。1TB SSD零售价已涨至上千元，长江存储NAND市占率达14%。

半导体行业观察9月28日消息，TrendForce预计2026年全球前十大晶圆代工厂8英寸平均产能利用率升至88%、下半年达90%。联电下半年已选择性调价并预告2027年涨幅扩大；VISQ3平均售价持续向上；力积电部分产品已调价。AI外溢需求带动PMIC、MCU、功率器件等成熟制程芯片放量。

路透社9月18日报道，长鑫存储计划在北京新厂建设NAND闪存研发生产线，并设立研究院推进NAND开发，与AI系统及超算存储客户接洽供货。长鑫二季度DRAM营收146.24亿美元。三星、SK海力士、美光将产能优先投向DRAM与HBM，TrendForce预计NAND供应紧张延续至2027年下半年，存储采购宜锁量锁交期。

9月14日渠道与盘面信息确认，AI服务器专用TLVR耦合电感进入新一轮涨价周期，年内整体涨幅45%-70%，紧缺现货型号涨幅达150%。村田已停产部分消费级与车规MLCC料号并将产能转向高容产品，高端高容交期拉长至20-26周。机构预计高容MLCC缺口延续至2028年，被动元件进入料号级分化，配额与价格谈判窗口前移。

瑞萨电子9月10日宣布调整产品价格体系，新价格2027年1月1日起生效，为年内第二轮调价，归因于原材料、能源、先进封装与产能的结构性成本上涨。英飞凌、德州仪器及华润微、士兰微等年内均已多轮调价，主流功率半导体交期普遍拉长至30周以上。机构预计下半年功率器件价格仍有上行空间，采购进入锁量锁交期阶段。

华润微电子披露已于2月、7月实施两轮产品调价，上半年SiC业务营收同比翻番以上，汽车与储能终端收入占比合计约85%。公司判断功率半导体供需缺口扩大、景气进入上行长周期，并将MEMS传感器与光芯片列为第三增长曲线，12吋产能2027年释放。下半年硅片成本传导延续，功率器件采购进入锁价锁产能窗口。